當(dāng)一個金屬或半導(dǎo)體晶片的一個通用電流被垂直放置在磁場中時，在片的兩端會產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象被稱為霍爾效應(yīng)。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表達(dá)式為： U=K·I·B/d，其中 K 為霍爾系數(shù)，I 為薄片中通過的電流，B 為外加磁場(洛倫慈力 Lorrentz)的磁感應(yīng)強(qiáng)度，d 是薄片的厚度。

　　可以看出，霍爾效應(yīng)的靈敏度與所施加的磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度成正比?；魻柦咏_關(guān)屬于有源磁/電變換器，它是在霍爾效應(yīng)原理的基礎(chǔ)上，采用先進(jìn)的集成封裝和裝配的生產(chǎn)工藝，它可以方便地將磁輸入信號轉(zhuǎn)換為電信號在實(shí)際應(yīng)用中，而且還具有工業(yè)應(yīng)用的應(yīng)用簡單的操作和可靠性要求。

　　霍爾接近開關(guān)的輸入端是以磁感應(yīng)強(qiáng)度B表示，當(dāng)b值達(dá)到一定程度(如B1)，內(nèi)部開關(guān)觸發(fā)器霍爾接近開關(guān)輸出電平狀態(tài)也隨之逆轉(zhuǎn)。輸出一般采用晶體管輸出，和電感式接近開關(guān)是相似的：PNP、NPN、常開、常閉、鎖型(雙極性)、雙信號的幾種類型的輸出。

　　霍爾接近開關(guān)是一種磁接近開關(guān)，無電沖擊，功耗低，使用壽命長，頻率響應(yīng)高，內(nèi)部使用環(huán)氧樹脂密封填料的生產(chǎn)結(jié)構(gòu)的集成，使它能可靠地工作在各種惡劣環(huán)境中。它可應(yīng)用于接近開關(guān)，壓力開關(guān)，里程表，它是一種新型的電器配件。圖1是它的內(nèi)部原理和傳輸特性。霍爾式開關(guān)比感應(yīng)開關(guān)響應(yīng)頻率高，它利用磁鋼觸發(fā)，觸發(fā)與導(dǎo)磁金屬電感，霍爾開關(guān)感應(yīng)距離除了外部傳感器本身的性能，而且與磁鐵的磁場強(qiáng)度